第77回 午後 問67

IGBTはMOSFETのゲート構造とバイポーラトランジスタの低オン抵抗特性を組み合わせた素子であり、コレクタ電流を制御でき、ゲート・エミッタ・コレクタの3端子を持つ。スイッチング速度はバイポーラトランジスタより速く、MOSFETより遅いという位置づけであるため、「バイポーラトランジスタと比較して遅い」という記述は誤りである。

• 1. × コレクタ電流の大きさはゲート電圧により制御できる。
• 2. × MOS FETと比較してオン抵抗は小さい。
• 3. × ゲート・エミッタ・コレクタの3端子を持つ。
• 4. × MOS FETとバイポーラトランジスタを組合せた構造である。
• 5. ○ バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度は速く、この記述は誤りである。