診療放射線技師 過去問集
ホーム › 第77回 › 午後 問67 ・ 科目: 医用工学のまとめ

第77回 午後 問67

IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。

  1. 1コレクタ電流の大きさを制御できる。
  2. 2MOS FET と比較してオン抵抗が小さい。
  3. 3ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。
  4. 4MOS FET とトランジスタを組合せた構造である。
  5. 5バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。

正答: 5

IGBTはMOSFETのゲート構造とバイポーラトランジスタの低オン抵抗特性を組み合わせた素子であり、コレクタ電流を制御でき、ゲート・エミッタ・コレクタの3端子を持つ。スイッチング速度はバイポーラトランジスタより速く、MOSFETより遅いという位置づけであるため、「バイポーラトランジスタと比較して遅い」という記述は誤りである。

  • 1. 正しい記述：コレクタ電流の大きさはゲート電圧で制御でき、正しい
  • 2. 正しい記述：伝導度変調によりMOS FETよりオン抵抗が小さく、正しい
  • 3. 正しい記述：ゲート・エミッタ・コレクタの3端子をもち、正しい
  • 4. 正しい記述：MOS FETの入力段とバイポーラの出力段を組合せた構造で、正しい
  • 5. 【正答】 誤った記述：スイッチング速度はバイポーラトランジスタより速く、遅いとする記述は誤り

関連するまとめ: 医用工学のまとめ →

×